伺服器用吸波材解決方案

在伺服器領域，高速運算與高功率電源模組常產生電磁干擾（EMI），對資料中心的通訊穩定性及法規認證造成挑戰。常見干擾來源包含 PCIe/DDR 高速訊號線、網路模組、VRM 電感與散熱器共振、電源線束的共模電流。吸波材可將電磁能量轉換為熱能，抑制近場與遠場雜訊，降低輻射峰值。
應用方案：在 SerDes、DDR、網路模組上蓋內側貼覆 0.2–0.5 mm 寬頻吸波片，減少高頻雜散；於 VRM 與電感區域使用高 μ″ 磁性吸收片，抑制低頻磁通；在 I/O 連接器與電源線加裝鐵氧體磁環與吸收帶，降低傳導干擾；於機殼內壁與通風孔加貼寬頻吸波片或導電泡棉，削弱腔體共振與縫隙輻射。
整體上，伺服器吸波材需同時兼顧寬頻抑制、耐高溫與結構相容性，並搭配濾波與屏蔽設計，確保符合 CISPR 32、FCC Part 15 等國際 EMC 標準，提升資料中心設備的可靠性與通訊品質。

1. 伺服器內的主要干擾來源與場景

• 高速介面：PCIe 5.0/6.0、DDR5、56G/112G PAM4 SerDes（散佈式共模／差模雜訊、走線與機殼耦合、面板開口輻射）。
• 電源／VRM：開關邊緣陡、功率電感與熱件附近的近場磁通外溢。
• 線纜／背板：高速纜、電源線、風扇線束形成天線效應。
• 結構／空腔：機箱、散熱器、風道形成腔體共振（常見在 1–8 GHz）。
• 無線／感應：NFC／無線感測、BMC 旁帶天線的相互干擾。

2. 典型解決方案（分層處理）

• 結構／機箱層：在通風孔、散熱器內側貼寬頻微波吸收片；風道轉折處加小片破壞駐波。
• 板級（PCB）：在 SerDes／DDR 區、VRM／電感、M.2 模組上蓋內側加吸波片。
• 線纜／連接器：I/O 連接器背面、線束用吸收帶與磁環。
• 電源模組／PSU：PFC 區與縫隙加磁損型片材與導電泡棉。
• 近場耦合控制：NFC 線圈背面加軟磁片 + 寬頻吸收片。

3. 材料選型速查

• 寬頻微波吸收片：1–18 GHz，厚度 0.2–2 mm，適合面板／腔體／SerDes。
• 磁損型片材：100 MHz–3 GHz，厚度 0.1–1 mm，適合 VRM／電感近場。
• 鐵氧體磁環：150 kHz–300 MHz，適合傳導／共模。
• 吸收帶：1–6 GHz，適合線束輻射。
• 導電泡棉／布：屏蔽為主，＜3 GHz 有效。

4. 佈局原則

• 先找熱點：用近場探棒定位，再小片測試。
• 3/10 法則：距離雜訊源 3–10 mm 內比遠處更有效。
• 避免覆蓋天線主瓣，否則無線性能下降。
• 疊層技巧：金屬蓋 + 吸收片 + 間隙 0.5–1 mm + 噪聲源。
• 考慮熱與機構：選耐熱 85–105°C 的材料。

5. 驗證流程

• Pre-scan：近場掃描 + 臨時貼片找甜蜜點。
• 箱體輻射：消音室測試 1–18 GHz。
• 傳導／雜訊源分析：150 kHz–30 MHz LISN 測試。
• 空腔模態：掃頻找峰值並貼片抑制。
• 回歸測試：老化／熱循環／振動後再驗證。

6. 參考 BOM

• 前面板 & 通風孔：0.5–1 mm 寬頻吸收片 + 導電布。
• SerDes／DDR 區上蓋：0.2–0.5 mm 吸收片 + 導電泡棉。
• VRM／電感：0.3–0.8 mm 磁損型片材 + 散熱器小片。
• I/O 連接器：內側貼 10×20 mm 小片。
• 線束：鐵氧體夾 + 吸收帶纏繞。
• PSU：導電泡棉 + 0.5 mm 吸收片。

7. 常見問題

• 只貼大片卻離干擾源太遠 → 幾乎無效。
• 覆蓋天線主瓣 → 無線性能大幅下降。
• 忽略熱 → 吸收片翹曲脫落。
• 只靠磁環 → >1 GHz 線束輻射需吸收帶。
• 只看 μ′ 不看 μ″ → 吸收效果差。